Unique Maturation Program of the IgE Response in Vivo

Immunity. 26,191-203(2007)

Speaker: 蔡明勳                                            Time: 14:00-15:00, 05/30,2007

Commentator: 王志堯 老師                         Place: Room 601

IgE抗體的產生在許多自體免疫疾病及過敏症都扮演一相當重要的角色，但目前對IgE抗體的成熟過程以及可快速產生IgE反應的記憶性B細胞存在與否都不甚清楚，主要原因在於IgE的量少，表現IgE的細胞亦少而不易分離，由於該實驗室先前發表過一高量IgE免疫反應小鼠模式，利用T/B monoclonal mice給予專一性抗原刺激，可產生比一般免疫反應高百倍的IgE濃度，因此作者利用高量IgE反應的該動物模式，分析IgE生成機制。首先作者發現表現IgE的細胞分佈主要位在淋巴結及脾臟的生發中心(Germinal Center,GC)之外，而生發中心是過去被認為B細胞經抗原刺激後進行Class Switching Recombination (CSR)、Somatic Hypermutation(SHM)及Affinity maturation(AM)進而產生記憶性B細胞及漿細胞的場所；於分子層面，分析mRNA表現的不同來評估IgE的重鏈發生由μ區到ε區CSR的階段，可以確定CSR的發生是在B細胞於生發中心時，且基因組中μ->γ區及γ->ε區的重組可以是兩個獨立而不連續的事件；進一步以親和力降低的點突變抗原，來評估SHM及AM是否發生在高親和力IgE產生的過程，實驗結果證實了高親和力IgE的產生是經過SHM及AM的過程；而且分析IgE表現的細胞群，顯示出大多和漿細胞有相同的特性；基於以上證據，作者推測IgE的高親和力是繼承已發生SHM及AM的IgG而來，且並不存在IgE記憶性B細胞，為證實此假設，作者利用adoptive transfer的方式，分離出高親和力的IgG記憶性B細胞並移植到他鼠，抗原刺激下的確可以喚起高親和力的IgE產生，且進一步利用分離出IgG細胞於不同細胞激素的in vitro培養，也證實了IgG記憶性B細胞可在IL-4存在及T細胞給予共同刺激訊號下分化成IgE漿細胞，且這樣的分化過程可以在IL-21存在下受抑制，因此作者結論，產生高親和力IgE的漿細胞，是已經過SHM及AM的IgG記憶性B細胞，於離開生發中心之際接觸到外在高濃度IL-4而再發生γ->ε CSR，並快速離開生發中心，IgE抗體本身繼承了IgG的高親和力，而不需要IgE記憶性B細胞的存在。

圖：IgE⁺細胞分化過程的模型